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老化是一種試驗，用來篩選或排除少量因制造失常而導(dǎo)致固有缺陷或缺陷的設(shè)備，而這些缺陷會引發(fā)和時間和應(yīng)力相關(guān)的故障。

為什么要老化？

 
我們選用可靠性專家經(jīng)常使用一個圖像來描述產(chǎn)品的壽命，這個圖像被稱作浴盆曲線。

浴盆曲線由三個階段組成：故障率減小的早期故障階段，接下來為正常壽命階段（也叫做有效壽命），故障率較低且相對穩(wěn)定，zui后為磨損階段，故障率是增加的。

很多類型的設(shè)備和系統(tǒng)在早期壽命中展示出固有的減少的故障率特性。相對較高的早期故障率通常歸因于生產(chǎn)過程中的固有不確定性。很長時間以來，老化已經(jīng)被認為是在交貨前檢測和消除部件或系統(tǒng)早期故障的一種有效方法。沒有老化，缺陷部件可能就被交付到了用戶手中，導(dǎo)致昂貴的現(xiàn)場維修和名譽上的損害。

對一電子部件進行老化試驗。在初始的試驗中，累積的故障百分比如下：

 
1、第1天有6%故障
 
2、第2天有10.1%故障

3、第3天有12%故障

4、第4天有13.8%故障

5、第5天有14.5%故障

6、第6天有15%故障

7、第7天有15.1%故障

  
老化就是藉由讓半導(dǎo)體進行超負荷工作而使缺陷在短時間內(nèi)出現(xiàn)，避免在使用早期發(fā)生故障。如果不藉由老化，很多半導(dǎo)體成品由于器件和制造制程復(fù)雜性等原因在使用中會產(chǎn)生很多問題。
注意，老化并非是產(chǎn)品改進技術(shù)。對一些產(chǎn)品進行老化不能改善每個單元單獨的可靠性。然而，老化通過清除劣質(zhì)的部分來提高了整體的可靠性，使得單元總體更加可靠和均勻。老化同樣還會提供
造成早期故障的不同故障機理的重要信息，為監(jiān)控制造過程的質(zhì)量工程師和幫助分析導(dǎo)致早期故障機理出現(xiàn)的變化提供有價值的反饋。

尚測生產(chǎn)的各種老化房符合標準：

1.GB/T 2423.2—2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗B:高溫》；

2、MIL-STD-883D、MIL-M-38510、GJB548、GJB597等試驗標準。

適用范圍：適用于各種封裝形式的模擬、大、中、小規(guī)模數(shù)字、數(shù)模混合集成電路，包括可編程器件、微處理器、邏輯電路、存儲器、A/D、D/A等器件的工作壽命試驗和高溫動態(tài)老化篩選。

一、集成電路高溫老化系統(tǒng)技術(shù)特點：

① 、 一板一區(qū)，可滿足16種不同試驗參數(shù)的器件同時老化。

②  、 完善的、種類齊全的老化器件數(shù)據(jù)庫可供用戶調(diào)用。

③ 、強大的圖形發(fā)生系統(tǒng)，64路數(shù)字和2路模擬可編程信號。

二、PCBA老化房技術(shù)性能：

2.1、PCBA老化房試驗區(qū)域
 
16個 （一板一區(qū)）：8個 （一板一區(qū)）
 

2.2、試驗容量
 
200×16=320位（以DIP14為例）：136×8=1088位（以DIP14為例）  
 

2.2.1、一級電源
 
8∽16臺25V/40A或40V/2等規(guī)格可選；4∽8臺25V/40A或40V/2等規(guī)格可選
 

2.2.2、二級電源
 
◆、每路二級電源具有過壓、欠壓、過流、短路和過熱等保護功能。

◆、每個通道提供獨立程控的VCC、VMUX、VCLK、VEE四路二級電源。

◆、電源監(jiān)測：實時監(jiān)測記錄二級電源的電壓，并可生成圖形曲線，便于試驗監(jiān)控。

◆、輸出能力：±1.00V～±18.00V/10A。
 

2.2..3、數(shù)字信號

◆每個通道：64路數(shù)字信號。

◆編程能力：編程深度256Kbit；zui小編程步長：100ns；編程分辨率：100ns；zui高信號頻率：5MHz。

◆尋址能力：可尋址64Gbit(老化ROM/SRAM等) A00～A35, 可尋址行列地址刷新器件64Gbit（老化DRAM/SDRAM等）AXX～A17，AYY：A00～A17。

◆驅(qū)動能力：IOL≥300mA、IOH≥100mA、Tr≤50ns、Tf≤50ns。

◆信號特性：每路均具有數(shù)據(jù)、地址、控制、三態(tài)屬性編輯功能。
 

2.2..4、集成電路高溫老化系統(tǒng)模擬信號
 
◆、模擬信號數(shù)：2路

◆、波形類型：三角波、正弦波、前沿鋸齒波、后沿鋸齒波、矩形波。

◆、模擬信號指標： 信號可編程頻率：1Hz～32KHz； 程控幅度范圍Vpp：0～±10V；

     直流偏移量范圍Vdc：0～1/2 Vpp；編程步長: 0.01V；驅(qū)動能力：≥1.0A；